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DMN3051L
3
10
2.5
I D = 250μA
1
2
1.5
1
0.1
0.01
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.5
0.001
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.0001
0.1
0.3 0.5 0.7 0.9
1.1
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10
1.6
1.4
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
8
6
V DS = 15V
I D = 5.8 A
1.2
1.0
Note 5
0.8
4
0.6
0.4
2
0.2
0
0
2 4 6 8
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 9 Gate Charge
10
0
0
50 100 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 10 Power Derating
200
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 105°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
D = 0.005
D = Single Pulse
t 2
T J - T A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMN3051L
Document number: DS31347 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
October 2013
? Diodes Incorporated
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